用于将微结构接合到半导体衬底的方法及其半导体结构
专利权的终止
摘要
本发明提供了一种用于使用吸引力如疏水性、范德华和共价键将微结构接合到半导体衬底的方法。该微结构在接合工序过程中保持它们彼此的绝对位置并垂直地转移在晶片表面上。在此，微片的垂直转移也称为“就地接合”。还公开了包括吸引地接合的微结构和衬底的半导体结构。
基本信息
专利标题 ：
用于将微结构接合到半导体衬底的方法及其半导体结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1779949A
申请号 ：
CN200510117242.X
公开（公告）日 ：
2006-05-31
申请日 ：
2005-10-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
G·M·科恩P·M·穆尼V·K·帕鲁许里
申请人 ：
国际商业机器公司
申请人地址 ：
美国纽约
代理机构 ：
北京市中咨律师事务所
代理人 ：
于静
优先权 ：
CN200510117242.X
主分类号 ：
H01L23/00
IPC分类号 ：
H01L23/00 H01L21/30
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
法律状态
2021-10-19 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 23/00
申请日 : 20051031
授权公告日 : 20100602
终止日期 : 20201031
申请日 : 20051031
授权公告日 : 20100602
终止日期 : 20201031
2010-06-02 ：
授权
2006-07-26 ：
实质审查的生效
2006-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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