用于接合衬底的方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种用于将第一衬底（2）与第二衬底（2＇）在所述衬底（2，2＇）的接触面（2o，2o＇）处接合的方法，其具有如下步骤、尤其是如下流程：‑用保持力FH1将所述第一衬底（2）保持在第一样品支架（1）的第一样品支架表面（1o）上，以及用保持力FH2将所述第二衬底（2＇）保持在第二样品支架（1＇）的第二样品支架表面（1o＇）上，‑将所述接触面（2o，2o＇）在接合发起部位（20）处接触并且至少将所述第二样品支架表面（1o，1o＇）加热到加热温度TH，‑沿着从所述接合发起部位（20）伸展至所述衬底（2，2＇）的侧边缘（2s，2s＇）的接合波，将所述第一衬底（2）与所述第二衬底（2＇）接合，其特征在于，在接合期间减小在所述第二样品支架表面（1o＇）上的所述加热温度TH。
基本信息
专利标题 ：
用于接合衬底的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334626A
申请号 ：
CN202210003795.6
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2016-02-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
F.库尔茨T.瓦根莱特纳T.普拉赫J.M.聚斯
申请人 ：
EV集团E·索尔纳有限责任公司
申请人地址 ：
奥地利圣弗洛里安
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
胡莉莉
优先权 ：
CN202210003795.6
主分类号 ：
H01L21/18
IPC分类号 ：
H01L21/18 H01L21/20 H01L21/324 H01L21/66 H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/18
申请日 : 20160216
申请日 : 20160216
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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