使两个半导体衬底的铝电极接合的方法
专利权的终止
摘要
本发明提供了一种在不影响两个半导体衬底上所形成电路的低温下使两个半导体衬底上形成的铝(Al)电极接合的方法。该方法包括：(a)分别在两个半导体衬底上形成铝(Al)电极，并在铝(Al)电极上沉积包含铝(Al)和铜(Cu)的金属合金；(b)使两个半导体衬底的铝(Al)电极面对面排列；(c)在低于已沉积的金属合金熔点的温度下对铝(Al)电极进行加热，并且在两个半导体衬底上施加一定的压力。因此，可在低于Al0.83Cu0.17合金熔点的温度完成接合，而不影响在两个半导体衬底上形成的电路，并且接合可在施加压力的区域内选择性地完成。
基本信息
专利标题 ：
使两个半导体衬底的铝电极接合的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101133486A
申请号 ：
CN200680006681.6
公开（公告）日 ：
2008-02-27
申请日 ：
2006-03-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李炳洙
申请人 ：
（株）赛丽康
申请人地址 ：
韩国首尔
代理机构 ：
北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
余朦
优先权 ：
CN200680006681.6
主分类号 ：
H01L21/60
IPC分类号 ：
H01L21/60
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/60
引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流
法律状态
2015-04-29 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101607913397
IPC(主分类) : H01L 21/60
专利号 : ZL2006800066816
申请日 : 20060302
授权公告日 : 20090701
终止日期 : 20140302
号牌文件序号 : 101607913397
IPC(主分类) : H01L 21/60
专利号 : ZL2006800066816
申请日 : 20060302
授权公告日 : 20090701
终止日期 : 20140302
2009-07-01 ：
授权
2008-04-23 ：
实质审查的生效
2008-02-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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