半导体装置及其接合方法
公开
摘要
本发明公开了一种半导体装置及其接合方法，半导体装置的接合方法包括：提供第一半导体结构，第一半导体结构具有第一基板、第一金属特征及绝缘层，第一金属特征设置于第一基板上，且绝缘层设置于第一金属特征上，其中绝缘层具有开口，开口露出第一金属特征。提供第二半导体结构，第二半导体结构具有第二基板及第二金属特征，第二金属特征位于第二基板下方。第一半导体结构接触第二半导体结构，使得第二金属特征位于绝缘层的开口内。以及对第二金属特征执行电镀工艺，使得第二金属特征延伸并接触第一金属特征。借此，第一半导体结构及第二半导体结构具有优异的相互对位功能，以便于对第一半导体结构及第二半导体结构进一步执行接合工艺。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置及其接合方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582858A
申请号 ：
CN202011537706.3
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2020-12-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
丘世仰
申请人 ：
南亚科技股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新北市泰山区南林路98号
代理机构 ：
北京派特恩知识产权代理有限公司
代理人 ：
浦彩华
优先权 ：
CN202011537706.3
主分类号 ：
H01L25/18
IPC分类号 ：
H01L25/18 H01L21/98
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/18
包含在H01L27/00至H01L51/00各组中两个或多个同一大组的不同小组内的类型的器件
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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