具有衬底偏置方案的半导体装置结构
公开
摘要
本申请涉及具有衬底偏置方案的半导体装置结构，揭示了具有衬底偏置的半导体装置结构、形成具有衬底偏置的半导体装置结构的方法以及操作具有衬底偏置的半导体装置结构的方法。衬底接点耦合到装置区中的主体半导体衬底的一部分。衬底接点被配置为用负偏置电压偏置。场效应晶体管包括在主体半导体衬底的装置区中的半导体本体。半导体本体与主体半导体衬底的部分电性隔离。
基本信息
专利标题 ：
具有衬底偏置方案的半导体装置结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114597261A
申请号 ：
CN202111254194.4
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2021-10-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
安东尼·K·史塔佩尔M·J·阿布-哈利勒约翰·J·艾利斯-蒙纳翰兰迪·沃夫亚文·J·乔瑟夫阿龙·瓦莱特
申请人 ：
格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请人地址 ：
美国纽约州
代理机构 ：
北京戈程知识产权代理有限公司
代理人 ：
程伟
优先权 ：
CN202111254194.4
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/06 H01L21/336 H01L29/10
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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