具有衬底集成中空波导的半导体装置及其方法
公开
摘要
提供了一种制造装置的方法。所述方法包括在第一衬底中形成第一腔，其中所述第一腔具有第一深度。第二腔形成于第二衬底中，其中所述第二腔具有第二深度。所述第一腔与所述第二腔彼此对齐。所述第一衬底附连到所述第二衬底以形成具有中空波导的波导衬底，所述中空波导具有基本上等于所述第一深度加上所述第二深度的第一尺寸。导电层形成于所述中空波导的侧壁上。所述波导衬底放置在封装半导体装置上，所述中空波导与所述封装半导体装置的发射器对齐。
基本信息
专利标题 ：
具有衬底集成中空波导的半导体装置及其方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114583432A
申请号 ：
CN202111404123.8
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2021-11-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
阿德里亚努斯·布伊斯曼阿卜杜勒拉蒂夫·扎纳提乔治·卡卢西奥
申请人 ：
恩智浦有限公司
申请人地址 ：
AG
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
孙尚白
优先权 ：
CN202111404123.8
主分类号 ：
H01Q1/12
IPC分类号 ：
H01Q1/12
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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