半模基片集成波导环形电桥

避免重复授权放弃专利权

摘要

半模基片集成波导环形电桥涉及一种毫米波与微波器件，尤其涉及一种半模基片集成波导(HMSIW)环形电桥，该环形电桥是在介质基片(1)的两面分别设有正面金属贴片与背面金属贴片组成的，在介质基片(1)的正面设有1个由正面金属贴片构成的环形半模基片集成波导(4)，第一端口(41)、第二端口(42)、第三端口(43)、第四端口(44)并联在环形半模基片集成波导(4)上，将整个环分成四段，在正面金属贴片与背面金属贴片之间通过介质基片(1)设有金属化通孔(3)。环形半模基片集成波导(4)的全长为工作频率对应的导波波长的1.5+2*n倍，其中n为非负整数。该环形电桥尺寸小、损耗低、成本低、易集成、性能好。

基本信息

专利标题：

半模基片集成波导环形电桥

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200620074782.4

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2006-07-10

授权号：

CN2914358Y

授权日：

2007-06-20

发明人：

洪伟刘冰张彦

申请人：

东南大学

申请人地址：

210096江苏省南京市四牌楼2号

代理机构：

南京经纬专利商标代理有限公司

代理人：

叶连生

优先权：

CN200620074782.4

主分类号：

H01P5/12

IPC分类号：

H01P5/12