磷化铟材料上原位淀积高介电常数三氧化二铝和金属膜的方法
专利权的终止
摘要
本发明公开了一种在磷化铟材料上原位淀积高介电常数三氧化二铝和金属膜的方法。采用EB真空蒸发，用99.99％以上高纯度三氧化二铝颗粒和金属作蒸发材料，其具体过程是：先清洗片子，进行光刻，蒸发窗口；然后将基片装入EB蒸发台的钟罩内，抽真空至1.8×10－3Pa以上；用Ar离子活化InP片子表面，并设定三氧化二铝和金属的密度系数，将蒸发电压置10kv，根据所蒸材料加上不同值的蒸发电流，分别进行Al2O3膜的蒸发和金属膜的蒸发淀积，待膜厚达到预定值后速将电流减为0，最后将片子上的三氧化二铝和金属通过剥离方法留下所需部分。本发明只需一台设备，降低了成本，减少了环境污染，工艺简单，生成膜质量好，可用于InP基器件和IC的量产。
基本信息
专利标题 ：
磷化铟材料上原位淀积高介电常数三氧化二铝和金属膜的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1794429A
申请号 ：
CN200510096234.1
公开（公告）日 ：
2006-06-28
申请日 ：
2005-10-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
谢永桂郝跃冯倩王冲龚欣李亚琴
申请人 ：
西安电子科技大学
申请人地址 ：
710071陕西省西安市太白路2号
代理机构 ：
陕西电子工业专利中心
代理人 ：
王品华
优先权 ：
CN200510096234.1
主分类号 ：
H01L21/283
IPC分类号 ：
H01L21/283 H01L21/768 H01L21/316 H01L21/3205 C23C14/30
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/28
用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的
H01L21/283
用于电极的导电材料或绝缘材料的沉积
法律状态
2015-12-16 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101637678822
IPC(主分类) : H01L 21/283
专利号 : ZL2005100962341
申请日 : 20051025
授权公告日 : 20071114
终止日期 : 20141025
号牌文件序号 : 101637678822
IPC(主分类) : H01L 21/283
专利号 : ZL2005100962341
申请日 : 20051025
授权公告日 : 20071114
终止日期 : 20141025
2007-11-14 ：
授权
2006-08-23 ：
实质审查的生效
2006-06-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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