GaAs基材料上原位淀积高介电常数Al2
专利权的终止
摘要
本发明公开了一种在GaAs基材料上原位淀积高介电常数Al2O3和金属膜的方法。采用EB真空蒸发，用高纯Al2O3颗粒和金属作蒸发源材料，在一台EB蒸发台内先后完成高介电常数Al2O3膜和金属膜的两种膜蒸发淀积，具体过程为：对GaAs基材料的基片进行清洗；在清洗干净的GaAs基片上光刻图形；将光刻后的片子装入EB的反应室中，对其抽真空达预定值，用氩离子活化GaAs基片表面；再设定源材的密度D和Z系数，置高压为10kv，根据源材的不同加上不同蒸发电流；分别进行Al2O3膜的蒸发和金属膜的蒸发淀积；当膜厚达到要求值后速将电流减为0，取出片子将蒸发到片子上的Al2O3/金属，或金属/Al2O3进行剥离。本发明不仅降低了成本，而且工艺简单，膜质量好，可用于GaAs基器件和IC的大量生产
基本信息
专利标题 ：
GaAs基材料上原位淀积高介电常数Al2O3和金属膜的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1794427A
申请号 ：
CN200510096232.2
公开（公告）日 ：
2006-06-28
申请日 ：
2005-10-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
谢永桂郝跃冯倩王冲龚欣李亚琴
申请人 ：
西安电子科技大学
申请人地址 ：
710071陕西省西安市太白路2号
代理机构 ：
陕西电子工业专利中心
代理人 ：
王品华
优先权 ：
CN200510096232.2
主分类号 ：
H01L21/283
IPC分类号 ：
H01L21/283 H01L21/768 H01L21/316 H01L21/3205 C23C14/30
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/28
用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的
H01L21/283
用于电极的导电材料或绝缘材料的沉积
法律状态
2015-12-16 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101637679230
IPC(主分类) : H01L 21/283
专利号 : ZL2005100962322
申请日 : 20051025
授权公告日 : 20080220
终止日期 : 20141025
号牌文件序号 : 101637679230
IPC(主分类) : H01L 21/283
专利号 : ZL2005100962322
申请日 : 20051025
授权公告日 : 20080220
终止日期 : 20141025
2008-02-20 ：
授权
2006-08-23 ：
实质审查的生效
2006-06-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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