在大高宽比孔径中淀积导体的方法
专利权的终止
摘要
一种用导电材料镀复大高宽比孔径的溅射淀积使导电镀复膜具有低体电阻率、低杂质含量和规整的组织结构。使用了一个其开口的高宽比与孔径的高宽比相近的准直器。在孔径底部得到的膜的厚度至少是常规溅射方法得到的孔径底部膜的厚度的二倍。
基本信息
专利标题 ：
在大高宽比孔径中淀积导体的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1065888A
申请号 ：
CN92101844.4
公开（公告）日 ：
1992-11-04
申请日 ：
1992-03-19
授权号 ：
CN1033175C
授权日 ：
1996-10-30
发明人 ：
派-英·P·李托马斯·J·利卡泰托马斯·L·麦克德维特保罗·C·帕里斯斯科特·L·彭宁顿詹姆斯·G·瑞安戴维·C·斯特里普
申请人 ：
国际商业机器公司
申请人地址 ：
美国纽约
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
邹光新
优先权 ：
CN92101844.4
主分类号 ：
C23C14/34
IPC分类号 ：
C23C14/34 H05K3/16
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
法律状态
2012-05-16 ：
专利权的终止
专利权有效期届满号牌文件类型代码 : 1611
号牌文件序号 : 101244111838
IPC(主分类) : C23C 14/34
专利号 : ZL921018444
申请日 : 19920319
授权公告日 : 19961030
期满终止日期 : 20120319
号牌文件序号 : 101244111838
IPC(主分类) : C23C 14/34
专利号 : ZL921018444
申请日 : 19920319
授权公告日 : 19961030
期满终止日期 : 20120319
2002-06-12 ：
其他有关事项
1996-10-30 ：
授权
1992-11-04 ：
公开
1992-08-19 ：
实质审查请求已生效的专利申请
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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