半导体工艺中消除电容漏电的方法、电容和半导体器件
公开
摘要
本发明公开了一种半导体工艺中消除电容漏电的方法、电容和半导体器件，属于半导体制造技术领域，包括步骤：在制造半导体器件的电容器时，将电容器的第一电极制造为含H原子阻挡层的电极结构，在具体实施时，所述含H原子阻挡层的电极结构可为含钨层的多金属层结构。本发明解决了半导体工艺中电容器的泄漏问题，可以提高器件制作的集成度和便于提高设计余量，使用电容器的半导体器件集成度变高，可以确保电容值稳定和内存刷新性能。
基本信息
专利标题 ：
半导体工艺中消除电容漏电的方法、电容和半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114583048A
申请号 ：
CN202210477636.X
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-05-05
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
崔基雄
申请人 ：
成都高真科技有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市高新区科新路8号附19号
代理机构 ：
成都九鼎天元知识产权代理有限公司
代理人 ：
周浩杰
优先权 ：
CN202210477636.X
主分类号 ：
H01L49/02
IPC分类号 ：
H01L49/02 H01L27/108
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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