半导体制程中铝线的刻蚀方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种半导体制程中铝线的刻蚀方法，其包括以下步骤：步骤一，将介电抗反射涂层的厚度增加一倍至三倍，对介电抗反射涂层进行纵向刻蚀的同时缩小了铝线的线宽；步骤二，对第一电极金属层进行刻蚀；步骤三，对第二电极金属层进行刻蚀；步骤四，对金属铝层进行刻蚀。本发明通过将介电抗反射涂层加厚作为一种介质，为后续金属层刻蚀前对此介质进行剪切，使铝线的线宽变小。
基本信息
专利标题 ：
半导体制程中铝线的刻蚀方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114284134A
申请号 ：
CN202111525693.2
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-12-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
姚道州马莉娜肖培
申请人 ：
华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区新洲路30号
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘昌荣
优先权 ：
CN202111525693.2
主分类号 ：
H01L21/027
IPC分类号 ：
H01L21/027 H01L21/3213
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/027
未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/027
申请日 : 20211214
申请日 : 20211214
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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