半导体工艺中温度测定的方法

专利权的终止

摘要

本发明公开了一种半导体工艺中温度测定的方法，首先在硅片上淀积一层钛层和一层铝合金层，然后用光刻的方法制作出金属线条和大块金属，并测定金属线条的电阻，再将使硅片完成正常的生产工艺，之后再次测定金属线条的电阻，通过比较两次电阻值的变化，得到生产工艺流程中的温度。本发明与现有的温度监控方法比较，可以实时精确地测定在250℃到550℃温度范围之间的实际工艺温度及其均匀性，而不是以静态温度设定推算，采用的材料在半导体工艺中也最为常见，因此成本低廉，简便易行。

基本信息

专利标题：

半导体工艺中温度测定的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1971867A

申请号：

CN200510110602.3

公开（公告）日：

2007-05-30

申请日：

2005-11-22

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

陈俭

申请人：

上海华虹NEC电子有限公司

申请人地址：

201206上海市浦东新区川桥路1188号

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司

代理人：

丁纪铁

优先权：

CN200510110602.3

主分类号：

H01L21/66

IPC分类号：

H01L21/66

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/66

在制造或处理过程中的测试或测量

法律状态

2019-11-12 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/66
申请日 : 20051122
授权公告日 : 20090401
终止日期 : 20181122

2014-02-05 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101689508315
IPC(主分类) : H01L 21/66
专利号 : ZL2005101106023
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 上海华虹NEC电子有限公司
变更后权利人 : 上海华虹宏力半导体制造有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 201206 上海市浦东新区川桥路1188号
变更后权利人 : 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
登记生效日 : 20140108

2009-04-01 ：

授权

2007-07-25 ：

实质审查的生效

2007-05-30 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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