用于半导体工艺的方法和半导体结构
授权
摘要
通常地，本申请提供了涉及诸如金属接触件，通孔，线等的导电部件以及用于形成这些导电部件的方法的示例性实施例。在实例中，沿着侧壁形成阻挡层。通过湿蚀刻工艺沿着侧壁回蚀刻阻挡层的部分。在回蚀刻之后，暴露阻挡层的部分以及下面的介电焊接层。沿着阻挡层形成导电材料。本发明实施例涉及接触导电部件形成和结构。
基本信息
专利标题 ：
用于半导体工艺的方法和半导体结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110718503A
申请号 ：
CN201910619176.8
公开（公告）日 ：
2020-01-21
申请日 ：
2019-07-10
授权号 ：
CN110718503B
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
张根育蔡纯怡蔡明兴林威戎
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹
代理机构 ：
北京德恒律治知识产权代理有限公司
代理人 ：
章社杲
优先权 ：
CN201910619176.8
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768 H01L23/538
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2022-04-19 ：
授权
2020-02-21 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/768
申请日 : 20190710
申请日 : 20190710
2020-01-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
