半导体设备及其工艺控制方法
授权
摘要
本申请实施例公开了一种半导体设备及其工艺控制方法，用以解决现有的半导体工艺在控制温度稳定性时无法兼顾输出稳定性、从而影响工艺参数的问题。包括：在半导体设备的当前工艺步骤满足预设控温条件的情况下，获取温控装置监测到的工艺腔室的实时温度；若实时温度与预设稳定温度之间的温差处于预设温差范围内，则确定温差处于预设温差范围内的持续时长，以及在持续时长内温控装置的第一输出参数；根据持续时长和/或第一输出参数，确定加热装置对应的输入参数；基于输入参数控制加热装置为工艺腔室加热。该技术方案避免了对温控装置的输出参数的频繁调整，从而避免出现温控装置的输出波动过于频繁的情况，确保了温控装置的输出稳定性。
基本信息
专利标题 ：
半导体设备及其工艺控制方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113718329A
申请号 ：
CN202111016406.5
公开（公告）日 ：
2021-11-30
申请日 ：
2021-08-31
授权号 ：
CN113718329B
授权日 ：
2022-05-27
发明人 ：
郭雪娇
申请人 ：
北京北方华创微电子装备有限公司
申请人地址 ：
北京市大兴区经济技术开发区文昌大道8号
代理机构 ：
北京国昊天诚知识产权代理有限公司
代理人 ：
姚琳洁
优先权 ：
CN202111016406.5
主分类号 ：
C30B23/00
IPC分类号 ：
C30B23/00 C30B29/36
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B23/00
冷凝气化物或材料挥发法的单晶生长
法律状态
2022-05-27 ：
授权
2021-12-17 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 23/00
申请日 : 20210831
申请日 : 20210831
2021-11-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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