半导体结构及用于半导体工艺的方法
授权
摘要
本公开涉及半导体结构及用于半导体工艺的方法。本文描述的实施例总体涉及用于在半导体工艺中在电介质层中形成导电特征的方法以及由此形成的结构。在一些实施例中，一种结构包括衬底上方的电介质层、表面改性层和导电特征。电介质层具有侧壁。表面改性层沿着侧壁，并且表面改性层包括磷和碳。导电特征沿着表面改性层。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构及用于半导体工艺的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110970394A
申请号 ：
CN201910333983.3
公开（公告）日 ：
2020-04-07
申请日 ：
2019-04-24
授权号 ：
CN110970394B
授权日 ：
2022-04-08
发明人 ：
连建洲陈立民杨能杰黄国彬
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹县
代理机构 ：
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
桑敏
优先权 ：
CN201910333983.3
主分类号 ：
H01L23/532
IPC分类号 ：
H01L23/532 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/522
包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的
H01L23/532
按材料特点进行区分的
法律状态
2022-04-08 ：
授权
2020-05-01 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/532
申请日 : 20190424
申请日 : 20190424
2020-04-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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