半导体结构及其工艺方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种半导体结构，此半导体结构包括一衬底、一焊垫、一熔丝结构与一保护层。衬底具有焊垫区与熔丝区。焊垫配置于焊垫区的衬底中。熔丝结构配置于熔丝区的衬底中。保护层配置于衬底上，覆盖焊垫区与熔丝区，以避免焊垫氧化。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构及其工艺方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1979817A
申请号 ：
CN200510129707.3
公开（公告）日 ：
2007-06-13
申请日 ：
2005-12-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吴炳昌
申请人 ：
联华电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200510129707.3
主分类号 ：
H01L23/00
IPC分类号 ：
H01L23/00 H01L23/485 H01L23/525 H01L21/00 H01L21/28 H01L21/768 H01L21/66
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
法律状态
2009-04-22 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-08-08 ：
实质审查的生效
2007-06-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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