半导体结构以及用于制作半导体结构的方法
授权
摘要
一种半导体结构以及用于制作半导体结构的方法。所述方法包含：接纳包含第一区和第二区的衬底；形成图案化硬掩模，所述图案化硬掩模包含暴露所述第一区的部分的第一开口和暴露所述第二区的部分的第二开口；在所述第一区中形成第一沟槽且在所述第二区中形成第二沟槽；对所述图案化硬掩模在所述第一区域中的部分和所述衬底从所述第一沟槽暴露的部分执行离子植入；扩大所述第一开口以形成第三开口且扩大所述第二开口以形成第四开口；和通过填充所述第一沟槽形成第一隔离结构且通过填充所述第二沟槽形成第二隔离结构。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构以及用于制作半导体结构的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109768009A
申请号 ：
CN201811333032.8
公开（公告）日 ：
2019-05-17
申请日 ：
2018-11-09
授权号 ：
CN109768009B
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
罗文勋张聿骐徐英杰
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市新竹科学工业园力行六路8号
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
蒋林清
优先权 ：
CN201811333032.8
主分类号 ：
H01L21/762
IPC分类号 ：
H01L21/762
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/76
组件间隔离区的制作
H01L21/762
介电区
法律状态
2022-06-14 ：
授权
2019-06-11 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/762
申请日 : 20181109
申请日 : 20181109
2019-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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