GaN基化合物材料上原位淀积高介电常数Al2<...
专利权的终止
摘要
本发明公开了一种GaN基化合物材料上原位淀积高介电常数Al2O3和金属膜的方法。采用电子束真空蒸发、在GaN基化合物材料上用4N以上高纯度Al2O3颗粒和高纯金属膜作蒸发源，其工艺过程是：先清洗片子和光刻蒸发窗口；然后将片子装入电子束蒸发台的反应室中，室温下先蒸发Al2O3薄膜，后蒸发金属膜，或先蒸发金属膜，后蒸发Al2O3；蒸发时抽真空在1.8×10－3Pa以上，用氩离子轰击基片；最后，设定Al2O3和待蒸发金属的密度和系数，将电子束高压置10kv，电子束电流根据所蒸发材料的要求加上不同的值，待膜厚达到预定值后，迅速将电流减为0，取出片子进行剥离。本发明具有使用设备少、成本低、环境污染少，工艺简单、生成膜质量好、可用于GaN基微电子器件和IC的批量生产。
基本信息
专利标题 ：
GaN基化合物材料上原位淀积高介电常数Al2O3和金属膜的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1794428A
申请号 ：
CN200510096233.7
公开（公告）日 ：
2006-06-28
申请日 ：
2005-10-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
谢永桂郝跃冯倩王冲龚欣李亚琴
申请人 ：
西安电子科技大学
申请人地址 ：
710071陕西省西安市太白路2号
代理机构 ：
陕西电子工业专利中心
代理人 ：
王品华
优先权 ：
CN200510096233.7
主分类号 ：
H01L21/283
IPC分类号 ：
H01L21/283 H01L21/768 H01L21/316 H01L21/3205 C23C14/30
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/28
用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的
H01L21/283
用于电极的导电材料或绝缘材料的沉积
法律状态
2015-12-16 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101637678912
IPC(主分类) : H01L 21/283
专利号 : ZL2005100962337
申请日 : 20051025
授权公告日 : 20071114
终止日期 : 20141025
号牌文件序号 : 101637678912
IPC(主分类) : H01L 21/283
专利号 : ZL2005100962337
申请日 : 20051025
授权公告日 : 20071114
终止日期 : 20141025
2007-11-14 ：
授权
2006-08-23 ：
实质审查的生效
2006-06-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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