用等离子体加强氧化硅淀积作用的方法
专利权的视为放弃
摘要
用等离子体加强氧化硅淀积作用的方法包括：提供至少含有汽化的有机硅化合物，氧和惰性气体的气流；在预先抽空的反应室中产生来源于该气流的等离子体，将基片可移动地置于其中；淀积时，用非平衡磁控管约束基片附近的等离子体，以提高离子流量；使气流可控地流入等离子体中。该方法以商业上可行的淀积速率，在小的和大的基片上可重复地淀积粘附的、硬质的和基本上无机的氧化硅基薄膜，该薄膜以高质量的交键连接为特征。
基本信息
专利标题 ：
用等离子体加强氧化硅淀积作用的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1030616A
申请号 ：
CN88104436.9
公开（公告）日 ：
1989-01-25
申请日 ：
1988-07-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
约翰·T·费尔斯尤金·S·洛帕塔
申请人 ：
美国BOC集团有限公司
申请人地址 ：
美国新泽西州
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
何耀煌
优先权 ：
CN88104436.9
主分类号 ：
C23C16/40
IPC分类号 ：
C23C16/40 C23C16/50 C23C16/52
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/22
以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C16/30
沉积化合物、混合物或固溶体，例如硼化物、碳化物、氮化物
C23C16/40
氧化物
法律状态
1998-10-14 ：
专利权的视为放弃
1990-10-24 ：
实质审查请求
1989-01-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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