等离子体薄膜淀积过程的控制
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
在用等离子体将薄膜淀积到衬底表面上的一种工艺中，对等离子体的光发射进行了监测、分析，用其结果自动控制等离子体的性质，以便控制所淀积的薄膜的特性。发射受检测的一个方面是来自同一等离子体物质不同波长带各两个发射线的强度，求出这些强度的比值，将其与已知的预定值进行比较，以便得出特性一致具重复性的薄膜。此外还将此比值与等离子体的平均电子温度联系起来，可以从该比值计算出等离子体的平均电子温度。另外，希望进一步控制时可以测定从另一个等离子体物质的另一发射线强度，并求出它与其中前一个线的强度的比值。
基本信息
专利标题 ：
等离子体薄膜淀积过程的控制
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1030615A
申请号 ：
CN88104424.5
公开（公告）日 ：
1989-01-25
申请日 ：
1988-07-15
授权号 ：
CN1024814C
授权日 ：
1994-06-01
发明人 ：
约翰·T·费尔斯尤金·S·洛帕塔
申请人 ：
美国BOC氧气集团有限公司
申请人地址 ：
美国新泽西州
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
肖掬昌
优先权 ：
CN88104424.5
主分类号 ：
C23C16/52
IPC分类号 ：
C23C16/52
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/52
镀覆工艺的控制或调整
法律状态
1996-08-28 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1994-06-01 ：
授权
1990-08-08 ：
实质审查请求
1989-01-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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