低温光化学气相淀积二氧化硅、氮化硅薄膜技术
专利申请的视为撤回
摘要
本发明涉及一种光化学气相淀积(光CVD)技术。该技术采用紫外光汞敏化原理分解反应气体，在低于200℃条件下，通过硅烷(SiH4)-笑气(N2O)及硅烷(SiH4)-氨气(NH3)混合气体的光化学反应分别淀积SiO2、SiN薄膜。与国外同类技术相比，具有薄膜全面特性好，特别是薄膜介电强度高，应力小，腐蚀速率低，淀积面积大，淀积均匀性好和光量子效率高等优点。用本发明在低温条件下淀积的SiO2、SiN介质膜可对半导体器件进行表面钝化，介质隔离和扩散掩蔽。
基本信息
专利标题 ：
低温光化学气相淀积二氧化硅、氮化硅薄膜技术
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1055014A
申请号 ：
CN90101490.7
公开（公告）日 ：
1991-10-02
申请日 ：
1990-03-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
孙建成
申请人 ：
西安电子科技大学
申请人地址 ：
710071陕西省西安市太白路2号
代理机构 ：
陕西省发明专利服务中心
代理人 ：
王品华
优先权 ：
CN90101490.7
主分类号 ：
C23C16/34
IPC分类号 ：
C23C16/34 C23C16/40 C23C16/42
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/22
以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C16/30
沉积化合物、混合物或固溶体，例如硼化物、碳化物、氮化物
C23C16/34
氮化物
法律状态
1995-08-02 ：
专利申请的视为撤回
1991-10-02 ：
公开
1991-03-13 ：
实质审查请求已生效的专利申请
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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