用于在集成电路区域上特别在晶体管的电极上制造接触垫的工艺
专利权的终止
摘要
所述区域(51)被局部修改以形成延伸直到所述区域表面的至少一部分的区段(510)，它由相对于所述区域的材料的可选择性去除的材料构成，所述区域由绝缘材料(7)覆盖，所述区段的表面处形成的孔口(90)形成于绝缘材料中，通过所述孔口将可选择性去除的材料从所述区段中去除以形成腔(520)代替所述区段，且所述腔和所述孔口用至少一种导电材料(91)填充。
基本信息
专利标题 ：
用于在集成电路区域上特别在晶体管的电极上制造接触垫的工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1783456A
申请号 ：
CN200510116105.4
公开（公告）日 ：
2006-06-07
申请日 ：
2005-10-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
D·莱诺伯尔P·克洛奈尔R·塞鲁荻
申请人 ：
圣微电子（克若乐斯2）联合股份公司;圣微电子股份有限公司
申请人地址 ：
法国克若乐斯
代理机构 ：
上海专利商标事务所有限公司
代理人 ：
李玲
优先权 ：
CN200510116105.4
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768 H01L21/28 H01L21/82 H01L21/335
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2012-12-19 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101368718109
IPC(主分类) : H01L 21/768
专利号 : ZL2005101161054
申请日 : 20051018
授权公告日 : 20090408
终止日期 : 20111018
号牌文件序号 : 101368718109
IPC(主分类) : H01L 21/768
专利号 : ZL2005101161054
申请日 : 20051018
授权公告日 : 20090408
终止日期 : 20111018
2009-04-08 ：
授权
2007-08-15 ：
实质审查的生效
2006-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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