三维存储器的制作方法
授权
摘要
本发明提供了一种三维存储器的制作方法，在衬底上先形成牺牲层，牺牲层中具有通孔，用于形成填充块，之后在牺牲层以及填充块表面形成堆叠结构，可以设置填充块的刻蚀特性与堆叠结构的刻蚀特性不同，二者可以采用不同的刻蚀试剂进行刻蚀，填充块可以作为形成栅极线沟槽的刻蚀阻挡层，先形成贯穿堆叠结构的栅极线沟槽，露出填充块，再单独刻蚀填充块露出衬底，从而避免了对衬底的过刻蚀。
基本信息
专利标题 ：
三维存储器的制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110767655A
申请号 ：
CN201911074166.7
公开（公告）日 ：
2020-02-07
申请日 ：
2019-10-31
授权号 ：
CN110767655B
授权日 ：
2022-04-01
发明人 ：
耿万波薛磊刘庆波薛家倩姚兰刘小欣
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
张静
优先权 ：
CN201911074166.7
主分类号 ：
H01L27/11524
IPC分类号 ：
H01L27/11524 H01L27/11556 H01L27/1157 H01L27/11582 H01L21/28
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/112
只读存储器结构的
H01L27/115
电动编程只读存储器；其多步骤制造方法
H01L27/11517
具有浮栅的
H01L27/11521
以存储器核心区为特征的
H01L27/11524
具有单元选择晶体管的，例如，NAND
法律状态
2022-04-01 ：
授权
2020-03-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/11524
申请日 : 20191031
申请日 : 20191031
2020-02-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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