本申请提供一种存储器的制作方法、存储器及存储器系统，该存储器的制作方法包括：在衬底上形成第一停止层；在该第一停止层中形成凹槽，该凹槽贯穿该第一停止层并延伸至该衬底内；在该第一停止层上形成第二停止层，该第二停止层覆盖该凹槽的内壁；在该第二停止层上形成堆栈层，该堆栈层中形成有贯穿该堆栈层且延伸至该衬底内的存储沟道结构；在该堆栈层中形成栅极缝隙，该栅极缝隙贯穿该堆栈层和该凹槽内的该第二停止层，并延伸至该衬底内；在该堆栈层中形成栅极结构，并在该栅极缝隙中形成栅极缝隙结构，从而能在栅极置换工艺中防止第一停止层发生翘起，进而避免堆栈层发生鼓包现象，有利于栅极材料的填充均匀性，提高了栅极的导电性能。