存储器的制作方法及存储器
实质审查的生效
摘要
本公开实施例公开了一种存储器及其制作方法、半导体器件，所述制作方法包括：在第一衬底上形成具有第一晶胞结构类型的第一阻挡层；形成覆盖所述第一阻挡层的第一导电层；其中，所述第一导电层的晶体生长方向为第一晶体生长方向，所述第一导电层与所述第一阻挡层的晶格匹配度满足预设条件。
基本信息
专利标题 ：
存储器的制作方法及存储器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114420568A
申请号 ：
CN202111630356.X
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2020-01-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
黄驰吕术亮马亮李远孙祥烈万先进
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 ：
北京派特恩知识产权代理有限公司
代理人 ：
赵翠萍
优先权 ：
CN202111630356.X
主分类号 ：
H01L21/48
IPC分类号 ：
H01L21/48 H01L23/498 H01L27/11551 H01L27/11578
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/48
应用H01L21/06至H01L21/326中的单一小组都不包含的方法，在器件组装之前制造或处理部件，例如容器
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/48
申请日 : 20200102
申请日 : 20200102
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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