三维存储器及其制作方法
公开
摘要
本发明涉及一种三维存储器及其制作方法，通过在衬底上形成第一半导体层，衬底包括台阶区和核心区；刻蚀核心区上的第一半导体层，以在第一半导体层上形成第一开口，并在第一开口中填充牺牲材料，以得到牺牲层；在牺牲层和第一半导体层上形成堆叠结构；在核心区上形成贯穿堆叠结构并延伸至牺牲层的沟道孔，并在沟道孔的内壁上依次形成存储功能层和沟道层，以形成沟道结构；去除衬底和牺牲层，以暴露出沟道结构的延伸至牺牲层的沟道结构底部；去除沟道结构底部中的存储功能层，以暴露出沟道层位于沟道结构底部中的沟道层底部；形成覆盖且连接沟道层底部的共源极层，从而能够解决三维存储器的字线层漏电问题，以提高三维存储器的电学性能。
基本信息
专利标题 ：
三维存储器及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114300475A
申请号 ：
CN202111657828.0
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-12-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张坤吴林春周文犀夏志良
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 ：
深圳紫藤知识产权代理有限公司
代理人 ：
吕姝娟
优先权 ：
CN202111657828.0
主分类号 ：
H01L27/1157
IPC分类号 ：
H01L27/1157 H01L27/11575 H01L27/11582
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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