半导体存储器及其制作方法
实质审查的生效
摘要
本公开提供一种半导体存储器及其制作方法，其中，半导体存储器包括：衬底；堆叠结构，设置在衬底上，堆叠结构包括依次堆叠的支撑层和栅极层；通孔，通孔贯穿堆叠结构暴露衬底的表面；存储结构，存储结构覆盖通孔的表面，位于通孔的存储结构与栅极层接触。本公开的半导体存储器，在堆叠结构的通孔中形成纵向叠层设置的存储单元结构，从而增加了半导体存储器存储密度，提高了集成度。
基本信息
专利标题 ：
半导体存储器及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114420697A
申请号 ：
CN202210040994.4
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2022-01-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郭帅左明光白世杰
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 ：
北京名华博信知识产权代理有限公司
代理人 ：
鲁盛楠
优先权 ：
CN202210040994.4
主分类号 ：
H01L27/11568
IPC分类号 ：
H01L27/11568 H01L27/11582 H01L27/1159 H01L27/11597
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/11568
申请日 : 20220114
申请日 : 20220114
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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