连接孔的制作方法、半导体器件、存储器及制作方法
实质审查的生效
摘要
本发明实施例公开了一种连接孔的制作方法、半导体器件、存储器及制作方法。所述方法包括：提供导电层，以及位于所述导电层上的绝缘层；在所述绝缘层上依次形成多个中间层和掩膜层，所述掩膜层具有开口，任意相邻两个所述中间层的材料不同；通过所述开口，依次在所述多个中间层中形成通孔，且在每形成一个通孔后，去除位于所形成的通孔所在的中间层上的膜层；通过所述通孔，在所述绝缘层中形成连接孔；所述开口、所述通孔和所述连接孔的尺寸依次减小。本发明实施例能够缩小连接孔的尺寸，进而缩小半导体器件的体积。
基本信息
专利标题 ：
连接孔的制作方法、半导体器件、存储器及制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388437A
申请号 ：
CN202210053351.3
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2022-01-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
孟晓明张栋肖圣麟
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 ：
深圳紫藤知识产权代理有限公司
代理人 ：
李莎
优先权 ：
CN202210053351.3
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768 H01L21/033 H01L23/48 H01L27/11548 H01L27/11575
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/768
申请日 : 20220118
申请日 : 20220118
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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