半导体存储器件
授权
摘要
本实用新型公开了一种半导体存储器件，在半导体衬底中具有多个有源区组成阵列，所述有源区是呈杆状或棒状的条形，且所述有源区均间隔均匀排列、互相平行；在俯视角度上，所述的有源区分为中心区域有源区及外围有源区，所述中心区域有源区呈标准棒状或杆状，所述外围有源区，是位于整个有源区最外圈的一组有源区，其形貌是呈火柴形，即其一端为与中心区域有源区相同的标准的杆状或棒状，其另一端具有尺寸大于标准的头部，且所述头部均是位于整个有源区的最外侧排布；在俯视平面上形成平面直角坐标系，在X方向和Y方向上，位于外圈的火柴型有源区，其头部排布是每相邻的两个头部两两结合，具有相互重叠部分，形成一个较大的有源区整体。
基本信息
专利标题 ：
半导体存储器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922035418.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-22
授权号 ：
CN210403717U
授权日 ：
2020-04-24
发明人 ：
陈煌彬陈俊超王浩吴家祺邱菁
申请人 ：
福建省晋华集成电路有限公司
申请人地址 ：
福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
焦健
优先权 ：
CN201922035418.7
主分类号 ：
H01L23/528
IPC分类号 ：
H01L23/528 H01L21/768 H01L27/105
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/522
包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的
H01L23/528
互连结构的布置
法律状态
2020-04-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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