一半导体元件以及该半导体元件的制造方法与制造装置
授权
摘要
本发明提供一半导体元件以及该半导体元件的制造方法与制造装置，特别是有关于在金属层的稀疏布局区域插入虚置图案的方法以及装置。虚置图案被用来解决因半导体的有效图案密度不平均而导致的研磨后薄膜厚度不平坦问题。本发明另说明一演算法，该演算法根据金属层有效图案决定虚置图案的尺寸和位置，其中步骤包括：首先以小型虚置填充环绕金属内连线，然后以大型虚置填充填补剩下的空白区域。本发明所述一半导体元件以及该半导体元件的制造方法与制造装置，可在使用化学机械研磨抛光一层间氧化膜时，防止不平坦表面形成。
基本信息
专利标题 ：
一半导体元件以及该半导体元件的制造方法与制造装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1897247A
申请号 ：
CN200610067317.2
公开（公告）日 ：
2007-01-17
申请日 ：
2006-03-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈宪伟蔡豪益陈学忠郑心圃林建宏林志涛许仕勋
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN200610067317.2
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768 H01L23/528
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2012-07-18 ：
授权
2008-07-23 ：
实质审查的生效
2007-01-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
