一种内嵌电感的TSV结构及其制备方法
授权
摘要
本发明公开了一种内嵌电感的TSV结构及其制备方法。在硅衬底中刻蚀形成通孔，在通孔内部交替沉积屏蔽介质和金属电极，其中电感由多层以S形相连接的金属电极构成；在电感表面依次沉积隔离介质、铜扩散阻挡层和铜籽晶层，并电镀铜金属层，其中铜扩散阻挡层、铜籽晶层和铜金属层构成TSV互连结构，用于连通上下芯片。TSV结构不仅充当芯片之间垂直互连的导电通道，同时还作为电感的基底，有效增大了电感值。
基本信息
专利标题 ：
一种内嵌电感的TSV结构及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112151496A
申请号 ：
CN202010944507.8
公开（公告）日 ：
2020-12-29
申请日 ：
2020-09-10
授权号 ：
CN112151496B
授权日 ：
2022-04-08
发明人 ：
朱宝陈琳孙清清张卫
申请人 ：
复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司
申请人地址 ：
上海市杨浦区邯郸路220号
代理机构 ：
北京得信知识产权代理有限公司
代理人 ：
孟海娟
优先权 ：
CN202010944507.8
主分类号 ：
H01L23/522
IPC分类号 ：
H01L23/522 H01L23/528 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/522
包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的
法律状态
2022-04-08 ：
授权
2021-01-15 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/522
申请日 : 20200910
申请日 : 20200910
2020-12-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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