半导体存储器件
实质审查的生效
摘要
一种半导体存储器件包括：第一计数电路，其适用于基于突发刷新命令信号来对在每个突发刷新周期中连续切换的第一时钟信号进行计数，并且产生第一计数码信号；周期引导电路，其适用于基于突发刷新命令信号和预充电信号来产生在每个突发刷新周期中切换一次的第二时钟信号；第二计数电路，其适用于对第二时钟信号进行计数并且产生第二计数码信号；以及控制电路，其适用于基于第一计数码信号和第二计数码信号来在每个突发刷新周期中产生用于锁存目标地址的锁存控制信号。
基本信息
专利标题 ：
半导体存储器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114550769A
申请号 ：
CN202111550212.3
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2018-02-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李宰承朱鲁根
申请人 ：
爱思开海力士有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京弘权知识产权代理有限公司
代理人 ：
许伟群
优先权 ：
CN202111550212.3
主分类号 ：
G11C11/406
IPC分类号 ：
G11C11/406
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/08
应用多孔存储元件的，例如：应用多孔磁芯存储器；应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板
G11C11/21
应用电元件的
G11C11/34
应用半导体器件的
G11C11/40
应用晶体管的
G11C11/401
形成需要刷新或电荷再生的单元的，即，动态单元的
G11C11/406
刷新或电荷再生周期的管理或控制
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 11/406
申请日 : 20180224
申请日 : 20180224
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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