本发明提供了一种半导体器件的制作方法及存储器的制作方法。该制作方法包括：在半导体衬底上顺序形成第一栅介质层和第一栅极，第一栅介质层具有远离半导体衬底的第一表面，第一栅极位于第一表面上，第一栅极具有在第一表面中第一投影区域，第一栅介质层中位于第一投影区域两侧的部分构成第一保护层；在半导体衬底上形成掩膜层，掩膜层中具有使第一栅介质层和第一保护层裸露的窗口；通过窗口对半导体衬底进行掺杂，以在位于第一投影区域两侧的半导体衬底中形成第一轻掺杂区；通过窗口对第一保护层进行减薄，以得到第二保护层；在第一轻掺杂区中形成第一源漏区。该方法不仅能够具有更少的工艺步骤，还能够节省掩膜层的制作成本。