本申请实施例公开了一种半导体器件及其制作方法、三维存储器，半导体器件的制作方法包括提供第一衬底，于所述第一衬底的一侧面形成堆叠结构，在所述堆叠结构中形成沿第一方向延伸的沟道孔，在所述沟道孔的底部进行冲孔，以形成沿所述第一方向延伸至所述第一衬底的连接槽，所述连接槽与所述沟道孔连接，在所述存储层的内表面和所述连接槽的内表面形成沟道层，所述沟道层与所述第一衬底电性连接；本申请提供了一种新的沟道层与第一衬底(源极层)连接的方式，实现即使3D NAND的堆叠结构的层数过多，仍旧能够实现沟道层与第一衬底(源极层)良好的电性连接效果，简化了3D NAND产品的生产工艺，降低了生产成本。