存储器的制作方法、存储器及存储器系统
实质审查的生效
摘要
本申请提供一种存储器的制作方法、存储器及存储器系统，该制作方法包括：在衬底上形成层叠设置的第一膜层和第二膜层，所述第一膜层具有第一刻蚀速率，所述第二膜层具有第二刻蚀速率，所述第二刻蚀速率大于所述第一刻蚀速率；形成贯穿所述第一膜层和所述第二膜层的刻蚀孔，所述刻蚀孔在所述第一膜层和所述第二膜层的交界处呈台阶状，从而能尽量扩大刻蚀孔的上端孔径、缩小下端孔径，有利于减小后续孔对孔之间的对准精度，增大工艺窗口，降低套刻工艺的控制难度。
基本信息
专利标题 ：
存储器的制作方法、存储器及存储器系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551348A
申请号 ：
CN202210188024.9
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-02-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王人焱吴智鹏尹航雒曲徐伟霍宗亮
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 ：
深圳紫藤知识产权代理有限公司
代理人 ：
孟霞
优先权 ：
CN202210188024.9
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768 H01L23/538 H01L27/1157 H01L27/11578 G11C16/04
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/768
申请日 : 20220228
申请日 : 20220228
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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