存储器及其制作方法
实质审查的生效
摘要
本发明实施例提供一种存储器及其制作方法，存储器包括：基底、位于所述基底内的有源区以及位于所述基底上的位线结构，所述有源区沿第一方向延伸；电容接触窗，所述电容接触窗位于相邻所述位线结构之间，所述电容接触窗的底面的至少一中心线沿第二方向延伸，所述第二方向与所述第一方向之间的夹角小于等于45度。本发明有利于提高存储器的信号传输性能。
基本信息
专利标题 ：
存储器及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114373754A
申请号 ：
CN202011103503.3
公开（公告）日 ：
2022-04-19
申请日 ：
2020-10-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金星程明李冉
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 ：
上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
成丽杰
优先权 ：
CN202011103503.3
主分类号 ：
H01L27/108
IPC分类号 ：
H01L27/108 H01L21/8242
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2022-05-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/108
申请日 : 20201015
申请日 : 20201015
2022-04-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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