本公开提供了一个存储器的电容连接线的制作方法和存储器，涉及半导体制备技术领域。其中，制作方法包括：在衬底上依次形成位线层和第一介质层；图案化位线层和第一介质层，形成沿第一方向间隔排布的位线结构和位于位线结构顶部的介质结构；在形成有位线结构和介质结构的衬底上形成绝缘层，以完全包覆位线结构和介质结构；以在相邻的位线结构之间形成间隔排布的第二隔离结构；在第一隔离结构和第二隔离结构之间形成导电结构，形成存储节点接触结构。通过本公开的技术方案，不需要制备昂贵的SOD牺牲层，降低了制备成本，而且减少了电容连接线的短路的情况发生，提升了存储器的可靠性和成品率。