存储器单元、电容存储器结构及其方法
公开
摘要
根据各个方面，提供了一种存储器单元，该存储器单元包括：第一电极；第二电极；以及设置在第一电极与第二电极之间的存储器结构，第一电极、第二电极和存储器结构形成存储器电容器，其中，第一电极和第二电极中的至少一个包括：包括具有第一微结构的第一材料的第一电极层；与第一电极层直接接触的功能层；以及与功能层直接接触的第二电极层，第二电极层包括具有不同于第一微结构的第二微结构的第二材料。
基本信息
专利标题 ：
存储器单元、电容存储器结构及其方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114446986A
申请号 ：
CN202111239931.3
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2021-10-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
P·波拉科夫斯基S·F·穆勒
申请人 ：
铁电存储器股份有限公司
申请人地址 ：
德国德累斯顿
代理机构 ：
北京市铸成律师事务所
代理人 ：
王珺
优先权 ：
CN202111239931.3
主分类号 ：
H01L27/1157
IPC分类号 ：
H01L27/1157 H01L23/522 H01L27/11573 H01L27/11575
法律状态
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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