电容器阵列、存储器单元阵列、形成电容器阵列的方法以及形成...
实质审查的生效
摘要
一种形成电容器阵列的方法包括在衬底上方形成竖直堆叠。所述堆叠包括水平伸长的导电结构和在所述导电结构正上方的绝缘体材料。在所述绝缘体材料中形成通向所述导电结构的水平间隔开的开口。在所述开口中的个别者中形成向上开放的容器形底部电容器电极。所述底部电容器电极直接抵靠着所述导电结构的导电材料。所述导电结构将所述底部电容器电极直接电耦合在一起。在所述开口中所述底部电容器电极横向内侧形成电容器绝缘体。在所述开口中的个别者中所述电容器绝缘体横向内侧形成顶部电容器电极。所述顶部电容器电极不直接电耦合在一起。公开了与方法无关的结构。
基本信息
专利标题 ：
电容器阵列、存储器单元阵列、形成电容器阵列的方法以及形成存储器单元阵列的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114342065A
申请号 ：
CN202080059988.2
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2020-08-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
S·D·唐K·D·普拉尔助若光成
申请人 ：
美光科技公司
申请人地址 ：
美国爱达荷州
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
王龙
优先权 ：
CN202080059988.2
主分类号 ：
H01L21/8242
IPC分类号 ：
H01L21/8242 H01L27/108
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
H01L21/8239
存储器结构
H01L21/8242
动态随机存取存储结构
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/8242
申请日 : 20200812
申请日 : 20200812
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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