形成铁电膜的方法及使用其形成电容器和存储器件的方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
提供了一种形成铁电膜的方法及使用该形成铁电膜的方法制造电容器和半导体存储器件的方法。形成铁电膜的方法包括制备基底、在该基底上碘淀积非晶铁电膜、和通过照射激光束到非晶铁电膜而结晶该非晶铁电膜。由于铁电膜可以在低于500℃的温度形成，因此形成铁电膜的方法可以减少对其他元件的热破坏。
基本信息
专利标题 ：
形成铁电膜的方法及使用其形成电容器和存储器件的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1770392A
申请号 ：
CN200510106861.9
公开（公告）日 ：
2006-05-10
申请日 ：
2005-09-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
鲜于文旭野口隆赵世泳权章渊殷华湘
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200510106861.9
主分类号 ：
H01L21/00
IPC分类号 ：
H01L21/00 H01L21/31 H01L21/02 H01L21/8239
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
法律状态
2009-09-23 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-09-05 ：
实质审查的生效
2006-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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