形成多个电容器的方法
授权
摘要
本发明包含形成多个电容器的方法。在一个实施方案中，形成多个电容器的方法包含在衬底上的电容器阵列区域内提供多个电容器电极。所述电容器电极包括外部横向侧壁。所述多个电容器电极至少部分由保持结构(40)支撑，所述保持结构(40)与所述外部横向侧壁啮合。所述保持结构(40)至少部分通过以下方式形成：对所述电容器阵列区域内任何位置处未进行掩盖的材料层(36)进行蚀刻以形成所述保持结构。将所述多个电容器电极并入多个电容器中。
基本信息
专利标题 ：
形成多个电容器的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101142657A
申请号 ：
CN200680008606.3
公开（公告）日 ：
2008-03-12
申请日 ：
2006-02-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
古尔特杰·S·桑胡马克·D·杜尔詹
申请人 ：
美光科技公司
申请人地址 ：
美国爱达荷州
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
王允方
优先权 ：
CN200680008606.3
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 H01L29/92 H01L27/10
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2011-08-03 ：
授权
2008-05-07 ：
实质审查的生效
2008-03-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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