存储器单元和形成存储器电路的方法

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摘要

存储器单元包括第一和第二上拉晶体管、第一和第二传输门晶体管和金属接触件。第一上拉晶体管具有在第一方向上延伸的第一有源区域。第一传输门晶体管具有在第一方向上延伸的第二有源区域，并且第二有源区域在第二方向上与第一有源区域分隔开。第二有源区域与第一有源区域相邻。第二传输门晶体管耦合至第二上拉晶体管。金属接触件在第二方向上延伸，并且从第一有源区域延伸至第二有源区域。金属接触件耦合第一上拉晶体管和第一传输门晶体管的漏极。第一和第二传输门晶体管以及第一和第二上拉晶体管是四晶体管存储器单元的部分。本发明的实施例还涉及形成存储器电路的方法。

基本信息

专利标题：

存储器单元和形成存储器电路的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN110729299A

申请号：

CN201910639473.9

公开（公告）日：

2020-01-24

申请日：

2019-07-16

授权号：

CN110729299B

授权日：

2022-04-19

发明人：

藤原英弘廖宏仁潘显裕林志宇陈炎辉奥野泰利

申请人：

台湾积体电路制造股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司

代理人：

章社杲

优先权：

CN201910639473.9

主分类号：

H01L27/11563

IPC分类号：

H01L27/11563 H01L27/11568