存储器单元、电容存储器结构及其方法
公开
摘要
根据各个方面，提供了一种存储器单元，该存储器单元包括：电容存储器结构，该电容存储器结构包括第一电极、第二电极和设置在第一电极与第二电极之间的存储器结构；以及场效应晶体管结构，该场效应晶体管结构包括耦合到电容存储器结构的栅极结构，其中电容存储器结构的第一电极包括具有第一功函数的第一电极材料，并且电容存储器结构的第二电极包括具有第二功函数的第二电极材料，其中第一功函数不同于第二功函数。
基本信息
专利标题 ：
存储器单元、电容存储器结构及其方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114446969A
申请号 ：
CN202111253377.4
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2021-10-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
P·波拉科夫斯基
申请人 ：
铁电存储器股份有限公司
申请人地址 ：
德国德累斯顿
代理机构 ：
北京市铸成律师事务所
代理人 ：
王珺
优先权 ：
CN202111253377.4
主分类号 ：
H01L27/11507
IPC分类号 ：
H01L27/11507 H01L27/11509 H01L27/11512
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/112
只读存储器结构的
H01L27/115
电动编程只读存储器；其多步骤制造方法
H01L27/11502
具有铁电体存储器电容器的
H01L27/11507
以存储器核心区为特征的
法律状态
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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