存储器单元布置及其方法
公开
摘要
提供了一种存储器单元布置，该存储器单元布置可包括：一个或多个存储器单元，一个或多个存储器单元中的每个存储器单元包括：场效应晶体管结构；多个第一控制节点；多个第一电容器结构；第二控制节点；以及第二电容器结构，包括连接至第二控制节点的第一电极和连接至场效应晶体管的栅极区的第二电极。多个第一电容器结构中的每个包括连接至多个第一控制节点中的对应第一控制节点的第一电极、连接至场效应晶体管结构的栅极区的第二电极以及设置在第一电容器结构的第一电极与第二电极之间的自发极化区。
基本信息
专利标题 ：
存储器单元布置及其方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114446345A
申请号 ：
CN202111230166.9
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2021-10-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
J·奥克
申请人 ：
铁电存储器股份有限公司
申请人地址 ：
德国德累斯顿
代理机构 ：
北京市铸成律师事务所
代理人 ：
王珺
优先权 ：
CN202111230166.9
主分类号 ：
G11C11/22
IPC分类号 ：
G11C11/22 G11C11/408 G11C16/14
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/08
应用多孔存储元件的，例如：应用多孔磁芯存储器；应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板
G11C11/21
应用电元件的
G11C11/22
应用铁电元件的
法律状态
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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