存储器单元感测
实质审查的生效
摘要

本申请涉及存储器单元感测。存储器可包含控制器,所述控制器配置成使所述存储器向各自连接到感测电路的相应节点的多个电容中的每一电容施加升压电压电平,通过选定用于感测操作的相应存储器单元选择性地放电所述节点中的每一个,当所述节点中的每一个连接到相应存储器单元时测量所述多个电容的电流需求,响应于测得的电流需求而确定去升压电压电平,向所述多个电容中的每一电容施加所述去升压电压电平,以及当向所述多个电容中的每一电容施加所述去升压电压电平时确定所述多个存储器单元中的每一存储器单元的相应数据状态。

基本信息
专利标题 :
存储器单元感测
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114446353A
申请号 :
CN202111282558.X
公开(公告)日 :
2022-05-06
申请日 :
2021-11-01
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
徐峻
申请人 :
美光科技公司
申请人地址 :
美国爱达荷州
代理机构 :
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 :
王龙
优先权 :
CN202111282558.X
主分类号 :
G11C16/04
IPC分类号 :
G11C16/04  G11C16/30  G11C16/34  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C16/00
可擦除可编程序只读存储器
G11C16/02
电可编程序的
G11C16/04
使用可变阀值晶体管的,例如,FAMOS
法律状态
2022-05-24 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 16/04
申请日 : 20211101
2022-05-06 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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