电容式感测NAND存储器中的感测线结构
公开
摘要
本申请涉及电容式感测NAND存储器中的感测线结构。存储器单元阵列可包含：数据线；源极；在所述数据线和所述源极之间串联连接的多个通过门；多个单元列结构，其各自具有与相应多个经串联连接场效应晶体管串联连接的相应多个经串联连接非易失性存储器单元，其中其相应多个经串联连接非易失性存储器单元中的每个非易失性存储器单元的沟道和其相应多个经串联连接场效应晶体管中的每个场效应晶体管的沟道选择性地彼此连接；以及多个背侧栅极线，其各自连接到所述多个通过门中的相应通过门的所述第二控制栅极。
基本信息
专利标题 ：
电容式感测NAND存储器中的感测线结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114613408A
申请号 ：
CN202111459491.2
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2021-12-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
福住嘉晃藤木润田中秋二吉田政史西户雅信蒲田佳彦
申请人 ：
美光科技公司
申请人地址 ：
美国爱达荷州
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
王龙
优先权 ：
CN202111459491.2
主分类号 ：
G11C16/04
IPC分类号 ：
G11C16/04 G11C16/26
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C16/00
可擦除可编程序只读存储器
G11C16/02
电可编程序的
G11C16/04
使用可变阀值晶体管的，例如，FAMOS
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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