电容式感测NAND存储器中的存取操作
公开
摘要
本申请涉及电容式感测NAND存储器中的存取操作。存储器可包含非易失性存储器单元、选择性地连接到所述非易失性存储器单元的电容、具有电容耦合到所述电容的电极的沟道的场效应晶体管，以及用于存取所述非易失性存储器单元且配置成使所述存储器进行以下操作的控制器：增加所述电容的所述电极的电压电平；响应于存储在所述非易失性存储器单元中的数据状态，通过所述非易失性存储器单元选择性地放电所述电容的所述电极的所述电压电平，以及响应于所述电容的所述电极的剩余电压电平，确定所述场效应晶体管是否被激活。
基本信息
专利标题 ：
电容式感测NAND存储器中的存取操作
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114613407A
申请号 ：
CN202111458167.9
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2021-12-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
福住嘉晃藤木润田中秋二吉田政史西户雅信蒲田佳彦
申请人 ：
美光科技公司
申请人地址 ：
美国爱达荷州
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
王龙
优先权 ：
CN202111458167.9
主分类号 ：
G11C16/04
IPC分类号 ：
G11C16/04 G11C16/26
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C16/00
可擦除可编程序只读存储器
G11C16/02
电可编程序的
G11C16/04
使用可变阀值晶体管的，例如，FAMOS
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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