电容式感测NAND存储器的存储器阵列结构
公开
摘要
本申请涉及电容式感测NAND存储器的存储器阵列结构。存储器单元阵列包含多个感测线，每个感测线具有在第二数据线和源极之间串联连接的相应多个通过门，并且具有电容耦合到其相应多个通过门的第一沟道的相应单元列结构子集，其中，对于所述多个感测线中的每个感测线，其相应单元列结构子集中的每个单元列结构连接到相应第一数据线子集中的相应第一数据线。
基本信息
专利标题 ：
电容式感测NAND存储器的存储器阵列结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114613406A
申请号 ：
CN202111457559.3
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2021-12-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
福住嘉晃藤木润田中秋二吉田政史西户雅信蒲田佳彦
申请人 ：
美光科技公司
申请人地址 ：
美国爱达荷州
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
王龙
优先权 ：
CN202111457559.3
主分类号 ：
G11C16/04
IPC分类号 ：
G11C16/04 G11C16/26
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C16/00
可擦除可编程序只读存储器
G11C16/02
电可编程序的
G11C16/04
使用可变阀值晶体管的，例如，FAMOS
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
