剩余极化电容结构、存储器单元及其方法
公开
摘要
根据各个方面，一种形成一个或多个剩余极化电容结构的方法，该方法包括：形成一个或多个电容结构，一个或多个电容结构中的每个包括：一个或多个电极；一个或多个前体结构，与一个或多个电极相邻地设置，其中，一个或多个前体结构中的每个具有介于约1nm至100nm的范围内的第一尺寸和介于约1nm至约30nm的范围内的第二尺寸；以及随后基于一个或多个前体结构的前体材料的结晶来形成包括结晶剩余极化材料的一个或多个剩余极化结构。
基本信息
专利标题 ：
剩余极化电容结构、存储器单元及其方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388511A
申请号 ：
CN202111196524.9
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2021-10-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
P·波拉科夫斯基
申请人 ：
铁电存储器股份有限公司
申请人地址 ：
德国德累斯顿
代理机构 ：
北京市铸成律师事务所
代理人 ：
王珺
优先权 ：
CN202111196524.9
主分类号 ：
H01L27/11507
IPC分类号 ：
H01L27/11507 H01L27/11509 H01L27/11512
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/112
只读存储器结构的
H01L27/115
电动编程只读存储器；其多步骤制造方法
H01L27/11502
具有铁电体存储器电容器的
H01L27/11507
以存储器核心区为特征的
法律状态
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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